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DDR5DRAM為每128位數(shù)據(jù)設(shè)置8位的ECC存儲空間,使得On-dieECC具有強大的RAS功能,可以保護(hù)存儲器陣列免受單個數(shù)位錯誤的影響。電路板加入PM1C電源芯框架,為高效能的DDR5記憶提供穩(wěn)定的電源供應(yīng),同時帶來電壓降至1.1V低功耗和發(fā)熱。